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IRF9956TR	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?strong>IRF9956；Package：SOP-8；30V 2N-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS (V) =30V ID = 2.2A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：475.86 Kbytes 頁數：7 Pages	UMW 友臺半導體	UMW
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IRF9956	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	30V 2N-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS (V) =30V ID = 2.2A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：475.86 Kbytes 頁數：7 Pages	UMW 友臺半導體	UMW
IRF9956	文件：107.92 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：107.92 Kbytes 頁數：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956PBF	文件：169.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：169.99 Kbytes 頁數：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956PBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 頁數：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956PBF_15	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 頁數：7 Pages	IRF	IRF
IRF9956TRPBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 頁數：7 Pages	IRF	IRF

詳細參數

型號：
IRF9956
功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個 N 溝道（雙） FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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