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IRF9956TR	文件：475.86 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/irf9956/marking.html">IRF9956；Package：SOP-8；30V 2N-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free VDS (V) =30V ID = 2.2A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：475.86 Kbytes 頁數：7 Pages	UMW 友臺半導體	UMW
IRF9956TRPBF	文件：175.44 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON TESISTANCE 文件：175.44 Kbytes 頁數：7 Pages	IRF	IRF
NDS9956	文件：341.13 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit 文件：341.13 Kbytes 頁數：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
NDS9956A	文件：341.13 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit 文件：341.13 Kbytes 頁數：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
NDS9956A-NL	文件：1.02522 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02522 Mbytes 頁數：9 Pages	VBSEMI 微碧半導體	VBSEMI

詳細參數

型號：
IRF9956TR
功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標準包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個 N 溝道（雙） FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多IRF9956TR供應商更新時間2026-1-22 16:20:00

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