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IRF9231	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low RDS(on) ? Improved inductive ruggedness ? Fsat switching times ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Low input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliability 文件：508.31 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF9231	文件：72.62 Kbytes Page：7 Pages	-5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs Description These devices are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for 文件：72.62 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRF9231	文件：300 bytes Page：1 Pages	150 V, P-channel power MOSFET	Renesas 瑞薩	Renesas
IRF9231	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFETS	NJS	NJS

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