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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF9130	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES ? Low RDS(on) ? Improved inductive ruggedness ? Fsat switching times ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Low input capacitance ? Extended safe operating area ? Improved high temperature reliability 文件：508.31 Kbytes 頁(yè)數(shù)：12 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF9130	文件：58.5 Kbytes Page：7 Pages	-12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET -12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these powe 文件：58.5 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
IRF9130	文件：149.67 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A) Product Summary The HEXFET?technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior rever 文件：149.67 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRF9130	文件：271.22 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -11A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：271.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
IRF9130	文件：19.15 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：19.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRF9130	文件：290.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：290.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
IRF9130	文件：23.56 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNEL POWER MOSFET 文件：23.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRF9130	文件：300 bytes Page：1 Pages	高可靠性功率 MOSFET \n優(yōu)勢(shì):;	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF9130_03	文件：23.56 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNEL POWER MOSFET 文件：23.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRF9130SMD	文件：20.72 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：20.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF9130
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 11A 2PIN TO-204AA - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
P CHANNEL MOSFET, TO-3, LAW - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
MOSFET P TO-3
功能描述：
MOSFET, P, TO-3
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 11A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-11A; Drain Source Voltage
Vds：
-100V; On Resistance
Rds(on)：
300mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRF9130	H	專(zhuān)業(yè)軍工	TO-3	860	只做原裝正品現(xiàn)貨授權(quán)貨源	詢(xún)價(jià)
君宇國(guó)際實(shí)業(yè)有限公司	IRF9130	IR		TO-3	80	原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRF9130	H	24+	TO-3	1500	AI芯片,車(chē)規(guī)MCU原裝現(xiàn)貨/為新能源汽車(chē)電子行業(yè)采購(gòu)保駕護(hù)航	詢(xún)價(jià)
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF9130	IR	24+	TO-3	2236		詢(xún)價(jià)
諦輝(北京/上海/青島 )電子科技有限公司	IRF9130	IR	25+	PLCC44	18000	原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝	詢(xún)價(jià)
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更多IRF9130供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:57:00

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