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IRF9520NPBF	文件：156.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：156.72 Kbytes 頁數：8 Pages	IRF	IRF
IRF9520NPBF	文件：2.90404 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：2.90404 Mbytes 頁數：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF9520NPBF	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：165.67 Kbytes 頁數：9 Pages	IRF	IRF
IRF9520NPBF_15	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：165.67 Kbytes 頁數：9 Pages	IRF	IRF

型號：
IRF9520NPBF
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.8A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-20
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
功能描述：
100V SINGLE P CHAN HEXFET POWER MOSFET
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
功能描述：
MOSFET P TO-220 TUBE 50
功能描述：
MOSFET, P, TO-220
功能描述：
Single P-Channel 100 V 48 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
功能描述：
MOSFET, P, TO-220; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
6.8A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
480mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V; Power Dissipation
Pd：
48W;;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
MOSFET P-Channel 100V 6.8A TO220AB
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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