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首頁(yè) >IRF830B>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
IRF830B	文件：888.87 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：888.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
IRF830B	文件：296.71 Kbytes Page：8 Pages	Reduced capacitive switching losses FEATURES ? Optimal design - Low area specific on-resistance - Low input capacitance (Ciss) - Reduced capacitive switching losses - High body diode ruggedness - Avalanche energy rated (UIS) ? Optimal efficiency and operation - Low cost - Simple gate drive circuitry 文件：296.71 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830B	文件：1.61271 Mbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：1.61271 Mbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF830B	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：167.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830B_V01	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：167.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830BPBF	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：167.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830BPBF-BE3	文件：167.82 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET 文件：167.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF830B	文件：300 bytes Page：1 Pages	D Series Power MOSFET ·Optimal design\n·Low area specific on-resistance\n·Low input capacitance (Ciss);	Vishay 威世	Vishay
IRF830B	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF830B
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	IRF830B	FAIRCHILD	19+	TO-220	32000		詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	IRF830B	FSC	23+	TO-220	5000		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRF830B	FAIRCHILD/仙童	2450+	TO-220	9850	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRF830B	onsemi(安森美)	25+	TO-220	11580	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
深圳市福田區(qū)綠盛電子商行	IRF830B	FSC	2015+	SOP/DIP	19889	一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
芯有半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF830B	仙童	06+	TO-220	5000	原裝庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRF830B	FSC	6200	TO-220	17	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	IRF830B	FSC	2016+	TO-220	6000	公司只做原裝,假一罰十,可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRF830B	Fairchi	24+	TO220	6000	進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRF830B	FSC	25+	TO-220	12000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)

更多IRF830B供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 13:30:00

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