| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF7701TR | Ultra Low On-Resistance Description HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design , that International Rectifier is well known for, provides thedesigner with an ex 文件：153.32 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | |
Precision, CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Amplifier 文件：485.82 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | NSC 國半 | NSC | ||
LMP7701/LMP7702/LMP7704 Precision, CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Amplifiers 文件：1.2212 Mbytes 頁數(shù)：35 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
Precision, CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Amplifiers 文件：1.4439 Mbytes 頁數(shù)：44 Pages | TI 德州儀器 | TI |
詳細參數(shù)
- 型號：
IRF7701TR
- 功能描述：
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TSSOP8 |
6000 |
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IOR |
2001+ |
TSSOP-8 |
2391 |
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詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
8-TSSOP |
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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INFINEON |
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IOR |
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Infineon |
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NA |
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IR |
23+ |
TSSOP8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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IOR |
25+ |
TSOP8 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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