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IRF7752 | Power MOSFET(Vdss=30V) Description HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design , that International Rectifier is well known for, provides thedesigner with an ex 文件：117.1 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages | IRF | IRF | |
IRF7752 | Power MOSFET(Vdss=30V) | Infineon 英飛凌 | Infineon | |
HEXFET? Power MOSFET 文件：234.96 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance 文件：234.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET? Power MOSFET | Infineon 英飛凌 | Infineon |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
IRF7752
- 功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列：
HEXFET®
- 產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
- 包裝：
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁(yè)面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
IR |
TSSOP8 |
1000 |
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
2000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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25+ |
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||||
IR |
24+ |
65230 |
詢價(jià) | ||||
IR |
25+ |
TSSOP-8 |
32500 |
普通 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TSSOP |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
2447 |
DIP |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
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INFINEON |
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SSOP-8 |
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