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IRF7754	文件：144.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-12V) Description HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：144.45 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7754	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=-12V)	Infineon 英飛凌	Infineon
IRF7754GPBF	文件：241.92 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Description HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：241.92 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7754PBF	文件：240.68 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：240.68 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7754TRPBF	文件：240.68 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：240.68 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF7754
功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
HEXFET®
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個 N 溝道（雙） FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRF7754供應(yīng)商更新時間2026-1-21 14:30:00

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