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IRF7341GPBF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description These HEXFET ? Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repe 文件：205.3 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7341GTRPbF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description These HEXFET ? Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repe 文件：205.3 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	IRF	IRF
IRF7341IPBF	文件：138.32 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：138.32 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	IRF	IRF
IRF7341PBF	文件：158.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：158.59 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	IRF	IRF

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