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    IRF3808LPBF

    Advanced Process Technology

    Description This Advanced Planar Stripe HEXFET ? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved

    文件:264.76 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages

    IRF

    IRF3808LPBF

    Advanced Process Technology

    文件:264.76 Kbytes 頁(yè)數(shù):12 Pages

    IRF

    IRF3808LPBF

    Advanced Process Technology

    Infineon

    英飛凌

    IRF3808PBF

    HEXFET Power MOSFET

    Description Designed specifically for Automotive applications, this Advanced Planar Stripe HEXFET ? Power MOSFET utilizes the latest process ing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating tem

    文件:213.27 Kbytes 頁(yè)數(shù):9 Pages

    IRF

    IRF3808S

    AUTOMOTIVE MOSFET

    Description Designed specifically for Automotive applications, this Advanced Planar Stripe HEXFET ? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating temper

    文件:162.73 Kbytes 頁(yè)數(shù):11 Pages

    IRF

    IRF3808S

    Isc N-Channel MOSFET Transistor

    文件:189.54 Kbytes 頁(yè)數(shù):2 Pages

    ISC

    無(wú)錫固電

    詳細(xì)參數(shù)

    • 型號(hào):

      IRF3808LPBF

    • 功能描述:

      MOSFET N-CH 75V 106A TO-262

    • RoHS:

    • 類(lèi)別:

      分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

    • 系列:

      HEXFET®

    • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

      1,000

    • 系列:

      MESH OVERLAY™ FET

    • 型:

      MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

    • 特點(diǎn):

      邏輯電平門(mén)

    • 漏極至源極電壓(Vdss):

      200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

    • C:

      18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

    • C:

      180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

    • Vgs(th)(最大):

      4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

    • Vgs:

      72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

    • Vds:

      1560pF @ 25V 功率 -

    • 最大:

      40W

    • 安裝類(lèi)型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-220-3 整包

    • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

      TO-220FP

    • 包裝:

      管件

    供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
    IR
    24+
    TO-262-3
    140
    詢(xún)價(jià)
    IR
    23+
    TO-262-3
    11846
    一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
    詢(xún)價(jià)
    INFINEON
    25+
    TO-262
    3000
    就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
    詢(xún)價(jià)
    Infineon
    22+
    NA
    2118
    加我QQ或微信咨詢(xún)更多詳細(xì)信息,
    詢(xún)價(jià)
    Infineon Technologies
    22+
    TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
    9000
    原廠渠道,現(xiàn)貨配單
    詢(xún)價(jià)
    Infineon Technologies
    24+
    原裝
    5000
    原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
    詢(xún)價(jià)
    Infineon Technologies
    2022+
    TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-26
    38550
    全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
    詢(xún)價(jià)
    IR
    23+
    TO-262-3
    55040
    ##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
    詢(xún)價(jià)
    Infineon Technologies
    23+
    原裝
    8000
    只做原裝現(xiàn)貨
    詢(xún)價(jià)
    Infineon Technologies
    23+
    原裝
    7000
    詢(xún)價(jià)
    更多IRF3808LPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2026-1-22 16:30:00

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