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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF1010NPBF | HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：182.65 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | |
IRF1010NPBF | Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Description Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：3.0715 Mbytes 頁數(shù)：8 Pages | KERSEMI | KERSEMI | |
IRF1010NPBF | Advanced Process Technology 文件：231.48 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF | |
Advanced Process Technology 文件：231.48 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | IRF | IRF |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
IRF1010NPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 72A 11mOhm 80nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
600 |
20年老字號,原裝優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
INFINEON/英飛凌原裝特價(jià)IRF1010NPBF即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
15+ |
原廠原裝 |
8700 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
65400 |
詢價(jià) | |||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
07+ |
原廠原裝 |
20000 |
自己公司全新庫存絕對有貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
25000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
DISCRETE |
50 |
IR |
8700 |
詢價(jià) |
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