| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRC530PBF | HEXFET? Power MOSFET 文件：1.30865 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages | IRF | IRF | |
IRC530PBF | HEXFET? Power MOSFET | Infineon 英飛凌 | Infineon | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
文件：157.16 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | MOTOROLA 摩托羅拉 | MOTOROLA | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS POWER FET 14 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.140 Ω 文件：481.96 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | ||
N-CHANNEL POWER MOSFETS
文件：354.18 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG |
詳細參數(shù)
- 型號：
IRC530PBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
TO220-5 |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2205 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-220-5 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
7000 |
詢價 | |||
IR/Vishay |
25+ |
TO-TO-220-5 |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-2205-Pin(HEXSen |
8866 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
2000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價 |
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