一，核心參數(shù)與特性
該器件為高低側(cè)獨(dú)立輸出架構(gòu)，VS 節(jié)點(diǎn)耐壓 650V、VB 節(jié)點(diǎn) 675V，VS 負(fù)瞬態(tài)耐受約 100V、穩(wěn)態(tài)可至 - 11V（VCC=15V），無(wú)寄生晶閘管結(jié)構(gòu)，抗閂鎖與噪聲免疫能力強(qiáng)，能穩(wěn)定工作于高壓半橋拓?fù)?。供電方面，VCC 工作范圍 10–20V，極限值 25V，適配工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電源；峰值拉電流約 + 290mA、灌電流約 - 700mA，關(guān)斷能力更強(qiáng)，可有效抑制柵極振蕩與開(kāi)關(guān)損耗。時(shí)序與保護(hù)上，內(nèi)置 540ns 死區(qū)并支持外阻編程至 2.7μs，實(shí)現(xiàn)互鎖防橋臂直通；配備施密特輸入、獨(dú)立高低側(cè) UVLO，輸入耐 - 5V 負(fù)電壓，兼容 3.3V/5V/15V 邏輯電平，可靠性高。開(kāi)關(guān)時(shí)序典型值為開(kāi)通延遲 740ns、關(guān)斷延遲 200ns，上升時(shí)間約 100ns、下降時(shí)間約 35ns，匹配性好，噪聲免疫優(yōu)異。封裝為 SMT 兼容的 PG?DSO?8，工作溫度范圍 - 40~125℃，滿足工業(yè)高溫應(yīng)用需求。
二，適用場(chǎng)景
該驅(qū)動(dòng)器廣泛用于 600V/650V 母線的半橋拓?fù)潆娏﹄娮釉O(shè)備。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，適合 BLDC/PMSM 半橋逆變器、伺服驅(qū)動(dòng)器等；在電源變換領(lǐng)域，可用于圖騰柱 PFC、UPS、焊機(jī)、LED 驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能變流器及充電樁輔助電源等；同時(shí)也適用于高頻開(kāi)關(guān)電源等對(duì)尺寸、抗擾與高溫有嚴(yán)格要求的工業(yè)與新能源場(chǎng)景。
三，選型與使用要點(diǎn)
選型上，可直接替代 IRS21091 等傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器，SOI 工藝帶來(lái)更優(yōu)的穩(wěn)健性與更高的開(kāi)關(guān)頻率；若需更高耐壓或驅(qū)動(dòng)電流，可升級(jí)至 2ED21xx 系列更高規(guī)格型號(hào)。使用時(shí)，自舉電容需按占空比與開(kāi)關(guān)頻率選型，通常選用 100nF~1μF、X7R/X5R 材質(zhì)、耐壓≥25V 的電容，確保低側(cè)導(dǎo)通時(shí)間足夠充電，避免自舉欠壓；死區(qū)電阻需根據(jù)功率管特性與開(kāi)關(guān)頻率設(shè)定，防止橋臂直通；PCB 布局應(yīng)嚴(yán)格分區(qū)功率地與邏輯地，減小功率環(huán)路面積，提升 EMC 性能。大電流與高頻工況下，需為 SOIC?8 封裝鋪銅并增加散熱焊盤(pán)，避免結(jié)溫超限。
