IEDM 2025：中國半導(dǎo)體力量閃耀全球頂級學(xué)術(shù)舞臺
IEDM創(chuàng)立于1955年，是半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有“奧林匹克盛會”盛譽的國際頂尖學(xué)術(shù)會議。該會議匯聚了全球?qū)W術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界的最新研究成果，議題覆蓋CMOS技術(shù)、先進存儲、傳感器、功率器件等關(guān)鍵領(lǐng)域。
IEDM2025的主題是“FET 100 年：塑造設(shè)備創(chuàng)新的未來”。業(yè)界普遍認為，在當(dāng)前技術(shù)迭代加速、AI發(fā)展催生海量存儲需求的時代背景下，IEDM 2025不僅展現(xiàn)了學(xué)術(shù)前沿，更成為洞察未來存儲技術(shù)演進與產(chǎn)業(yè)格局變化的重要窗口。
本屆IEDM大會，長鑫存儲在3D FeRAM與新型多層堆疊DRAM領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了雙項突破。長鑫存儲首次實現(xiàn)單片集成的堆疊式鐵電存儲（3D FeRAM），提出兩層水平堆疊的1T1C三維架構(gòu)，配備雙柵極多晶硅選擇晶體管，展現(xiàn)出優(yōu)異的性能與耐久性，為低功耗非易失性存儲奠定基礎(chǔ)。
此外，長鑫存儲還展示了全球首個BEOL集成的多層DRAM架構(gòu)，基于IGZO溝道晶體管完成實驗驗證，并在優(yōu)化性能與可靠性方面取得突破，為未來高性能DRAM的發(fā)展開辟新路徑。
長鑫存儲以創(chuàng)新產(chǎn)品定義存儲市場新格局
技術(shù)研發(fā)的積累，正在成為驅(qū)動產(chǎn)品快速迭代與推動市場持續(xù)拓展的核心引擎。當(dāng)前，長鑫已構(gòu)建涵蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X的全系列產(chǎn)品矩陣。今年10月，長鑫推出LPDDR5X系列產(chǎn)品，提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，最高速率可達10667Mbps，達到國際主流水平，較上一代LPDDR5提升了66%，同時可以兼容LPDDR5，功耗則比LPDDR5降低了30%。據(jù)了解，長鑫正在研發(fā)0.58mm超薄LPDDR5X芯片，量產(chǎn)后有望成為全球最薄的LPDDR5X產(chǎn)品。
標準存儲領(lǐng)域，長鑫存儲于今年11月正式發(fā)布其最新DDR5產(chǎn)品系列：最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達到國際領(lǐng)先水平。當(dāng)前市場基準中，6400 Mbps代表服務(wù)器與高端PC的主流性能層級，而8000 Mbps則已邁入國際頂級性能梯隊。
在內(nèi)存容量上，長鑫存儲在標準16Gb 顆粒以外，重點推出24Gb大容量顆粒，對于大規(guī)模數(shù)據(jù)中心具有顯著優(yōu)勢，能在不占用額外物理插槽的前提下，顯著提升系統(tǒng)的模型加載能力與多任務(wù)處理效率，滿足數(shù)據(jù)中心快速擴容的剛需。
此外，長鑫基于其DDR5產(chǎn)品推出的UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM七大模組，實現(xiàn)了對服務(wù)器、工作站到個人電腦的全場景完整覆蓋，展現(xiàn)了與國際領(lǐng)先廠商同臺競技的實力。
據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）最新數(shù)據(jù)，2025年10月全球半導(dǎo)體銷售額同比增長33%，達713億美元，其中DRAM銷售額同比飆升90%，行業(yè)景氣度持續(xù)攀升。與此同時，長鑫存儲正積極推進上市進程。行業(yè)人士指出，亮眼的行業(yè)數(shù)據(jù)為長鑫IPO提供了極具說服力的宏觀背景，有望顯著增強投資者對其未來成長空間與盈利潛力的預(yù)期與信心。
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