一，核心基礎(chǔ)參數(shù)
電壓與電流能力：VS 節(jié)點(diǎn)最高工作電壓達(dá) 650V，浮置通道適配高壓側(cè) N 溝道功率器件的驅(qū)動(dòng)需求；典型拉 / 灌電流均為 2.5A，具備強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力。電源電壓（VCC）適用范圍為 10 - 20V，同時(shí) VS 引腳邏輯在 - 11V 直流下仍可正常工作，輸入側(cè)還支持 - 5V 的負(fù)壓容差。
時(shí)序特性：傳播延遲為 200ns，典型導(dǎo)通時(shí)間 600ns、關(guān)斷時(shí)間 200ns，通道間延遲匹配最大僅 35ns，能精準(zhǔn)控制功率器件的開關(guān)時(shí)序，減少開關(guān)損耗。
二，核心性能優(yōu)勢(shì)
抗干擾與可靠性強(qiáng)：采用英飛凌獨(dú)特的薄膜絕緣體上硅（SOI）技術(shù)，不僅實(shí)現(xiàn) 100V 的負(fù)壓瞬態(tài)抗擾度，還徹底消除了寄生晶閘管結(jié)構(gòu)，在全溫度和全電壓工況下都能避免寄生閂鎖問題，大幅提升工作穩(wěn)定性。
完善的保護(hù)機(jī)制：集成擊穿保護(hù)和內(nèi)置死區(qū)時(shí)間功能，可有效防止功率器件出現(xiàn)橋臂直通故障；同時(shí)為高低側(cè)通道配備獨(dú)立欠壓鎖定功能，避免器件在供電異常時(shí)損壞。
適配性廣：邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn) CMOS 或 LSTTL 電平，最低可適配 3.3V 邏輯信號(hào)，能輕松與各類控制器對(duì)接；輸出級(jí)的大電流緩沖級(jí)設(shè)計(jì)，也能最大限度減少驅(qū)動(dòng)交叉導(dǎo)通問題。
三，結(jié)構(gòu)與應(yīng)用相關(guān)
集成與封裝：芯片集成超快速、低阻抗的自舉二極管，無(wú)需額外外接，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)；采用 DSO - 8 封裝形式，以卷盤式包裝供貨（每盤 2500 個(gè)），適配自動(dòng)化貼片生產(chǎn)流程。
典型應(yīng)用：憑借 650V 高壓適配性和高速驅(qū)動(dòng)特性，常應(yīng)用于家電電機(jī)控制、工業(yè)電源、逆變器等場(chǎng)景，例如吊扇等家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)回路，或是中小功率開關(guān)電源中的功率器件驅(qū)動(dòng)環(huán)節(jié)。
