一，核心基礎(chǔ)屬性
驅(qū)動定位與配置：該器件屬于高低側(cè)半橋柵極驅(qū)動器，采用非反相驅(qū)動配置，包含 2 路獨(dú)立驅(qū)動器和 2 路輸出，專門適配 MOSFET 開關(guān)應(yīng)用，峰值輸出電流典型值達(dá) 0.7A，能穩(wěn)定驅(qū)動 MOSFET 實現(xiàn)精準(zhǔn)開關(guān)控制。
供電與電壓耐受：供電電壓范圍為 10V - 17.5V，其浮動通道依托英飛凌獨(dú)特的薄膜絕緣硅（SOI）技術(shù)，可承受最高 600V 電壓，支持自舉工作模式，同時能耐受 - 100V 的負(fù)瞬態(tài)電壓（脈沖寬度最高 300ns），抗干擾能力優(yōu)異。
封裝與物理特性：采用 14 引腳 DSO 封裝，引腳為鷗翼型，適配表面貼裝方式；產(chǎn)品以卷帶包裝出貨，便于自動化裝配與運(yùn)輸。工作溫度范圍覆蓋 - 40℃至 125℃，滿足多數(shù)工業(yè)及民用設(shè)備的溫域需求，且符合歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性達(dá)標(biāo)。
二，關(guān)鍵性能參數(shù)：其開關(guān)與信號傳輸性能表現(xiàn)穩(wěn)定，最大上升時間為 80ns，最大下降時間僅 30ns，最大傳播延遲時間 600ns，能減少信號傳輸滯后對電路控制的影響。此外，施密特觸發(fā)邏輯輸入兼容 3.3V、5V 規(guī)格的 CMOS 以及 LS TTL 邏輯，典型低閾值電壓 0.9V、高閾值電壓 2.1V，適配多種控制信號輸入場景。
三，核心保護(hù)與優(yōu)勢功能
多重保護(hù)機(jī)制：集成欠壓鎖定功能，可防止器件在供電電壓異常時損壞；具備離線鉗位功能，能避免芯片未供電時浮柵極狀態(tài)導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通問題，同時整體具備防閂鎖特性，提升電路工作可靠性。
低損耗設(shè)計：輸出驅(qū)動器搭載高脈沖電流緩沖級，可最大限度減少驅(qū)動器交叉導(dǎo)通現(xiàn)象，降低電路運(yùn)行損耗，助力提升整機(jī)能效。
四，典型應(yīng)用場景：因適配 MOSFET 的欠壓鎖定特性及 600V 高壓耐受能力，該器件常用于服務(wù)器與電信設(shè)備的電源電路、低壓驅(qū)動器、電動自行車控制系統(tǒng)以及半橋結(jié)構(gòu)的開關(guān)電源和電池充電器等場景，也可滿足部分對電路穩(wěn)定性要求較高的通用電力電子設(shè)備需求。
