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          SiC+GaN成核心!一文匯總英偉達800V HVDC認證廠商解決方案

          2025-10-22 9:32:00
          • 近年來,AI芯片算力不斷提升,對數(shù)據(jù)中心供電架構提出了全新挑戰(zhàn)

          SiC+GaN成核心!一文匯總英偉達800V HVDC認證廠商解決方案

          近年來,AI芯片算力不斷提升,對數(shù)據(jù)中心供電架構提出了全新挑戰(zhàn)。例如,英偉達GPU的單芯片TDP由A100的300W/400W升級至GB300的1400W,這對機柜供電能力帶來巨大壓力。為應對高能耗設備,英偉達推進了800V高壓直流(HVDC)架構,提升數(shù)據(jù)中心母線電壓、減少轉換損耗、釋放機架空間。隨著800V HVDC方案加速落地,芯片及電力系統(tǒng)供應鏈同步重塑,不少廠商針對該需求推出了新一代功率器件及子系統(tǒng)產品。

          芯片與功率器件供應商

          根據(jù)英偉達最新名單,主要的800V HVDC架構芯片、模塊與功率半導體供應商包括ADI、AOS(萬國半導體)、EPC、英飛凌、英諾賽科、MPS、納微半導體、安森美、Power Integrations、瑞薩電子、立锜科技、羅姆、意法半導體、德州儀器等。

          ADI(亞德諾)

          ADI提供包括熱插拔控制器、智能高壓轉換等完整的功率管理方案。例如,ADM1281集成PMBus接口,集成12位ADC,支持電流、電壓、功率及溫度的高精度(±0.3%)監(jiān)測,短路響應時間僅290ns。適合服務器、數(shù)據(jù)通信等對電源監(jiān)控與安全有高要求的場景。

          AOS(萬國半導體)

          AOS全面布局SiC/GaN功率器件,如第三代碳化硅MOSFET(AOM020V120X3等)和即將上市的高壓GaN FET,為800V HVDC的邊柜與單極SST電力分配架構提供核心部件。650V/100V GaN器件助力實現(xiàn)高密度DC-DC轉換,小型化和輕量化方案進一步釋放機架空間。AOS 還推出創(chuàng)新堆疊式MOSFET及多相降壓控制器,提升系統(tǒng)功率密度與效率。

          EPC

          專注GaN高頻功率解決方案,EPC已推出高度集成的6kW 800V-12.5V超薄型轉換器,采用ISOP并聯(lián)拓撲,適用于大功率AI主板,支持緊鄰負載的高效供電,最大限度降低母線損耗。

          英飛凌

          依托其在Si、SiC和GaN領域的技術積累,英飛凌推出一系列適用于800V架構的智能eFuse熱插拔控制器、48V/400V/800V電源模塊,并與英偉達合作打造更可靠安全的AI服務器供電系統(tǒng)。新一代產品支持高電壓熱插拔,并通過REF_XDP701_4800參考設計,將CoolSiC JFET等高性能功率器件應用于AI數(shù)據(jù)中心。

          英諾賽科

          作為唯一中國GaN芯片供應商,英諾賽科可提供覆蓋1200V到1V各級的全鏈路GaN功率解決方案。在高壓輸入轉換環(huán)節(jié),英諾賽科GaN器件可比SiC降低80%驅動損耗和50%開關損耗;低壓輸出端所需器件數(shù)量僅為傳統(tǒng)MOSFET的一半,整體功耗和體積大幅優(yōu)化。

          納微半導體(Navitas)

          通過并購GeneSiC,納微具備SiC/GaN全品類第三代半導體方案。新發(fā)布的氮化鎵FET采用高效散熱封裝,并有完整的10kW級800V->50V DC/DC模塊產品,適配AI供電高密度高效率需求。其LLC諧振及平面磁集成設計顯著提升轉換效率和功率密度。

          安森美

          在1200V SiC MOSFET等高耐壓高效率器件領域擁有豐富產品,完整覆蓋從變電、母線到最后DC-DC及Vcore,所有關鍵節(jié)點均可實現(xiàn)智能化競態(tài)和高效能點評測。

          PI(Power Integrations)

          推出了1250V/1700V PowiGaN HEMT,為主功率變換及輔助電源提供簡化方案,在高可靠性、高密度、高頻率領域具有優(yōu)勢,可直接滿足800V HVDC AI數(shù)據(jù)中心的苛刻功率與效率要求。

          瑞薩電子

          核心產品為第四代SuperGaN?平臺和高密度LLC-DCX變換器,支持“48V-800V可堆?!奔軜?,為不同階段電源轉換創(chuàng)造極高效率。提供全套“FET+驅動+控制器”方案,專為數(shù)據(jù)中心長生命周期可靠性設計。

          羅姆半導體

          提供經過多家云平臺驗證的Si MOSFET和SiC MOSFET,兼容熱插拔和高密度DC-DC變換,具備超寬SOA、極低導通電阻,適用于1MW級別機架的大功率轉換需求。此外,EcoGaN?系列器件與Nano Pulse Control?技術,滿足小型化及極致能效需求。

          意法半導體(ST)

          與英偉達共同打造高功率密度配電板,已完成12kW全直流持續(xù)輸出測試,效率超98%。采用SiC電源保護和隔離電路,主轉換級堆疊650V GaN半橋架構以實現(xiàn)最小體積/最大性能,副級采用100V GaN FET和STM32G4控制器,滿足嚴苛的數(shù)據(jù)中心空間和熱管理要求。

          德州儀器(TI)

          推出專門面向AI服務器及高壓母線架構的30kW電源參考設計和多相智能功率模塊,支持800V高壓輸出或多路獨立輸出,體積緊湊,易于集成,實現(xiàn)更高的功率密度和熱性能。此外,基于GaN的LMM104RM0可實現(xiàn)高密度1.6kW DC-DC轉換,適配800V數(shù)據(jù)中心母線。

          電力系統(tǒng)組件供應商

          產業(yè)鏈中,電力系統(tǒng)與配電組件主要供應商包括:貿聯(lián)、臺達電子、偉創(chuàng)力、GE Vernova、Lead Wealth(比亞迪)、光寶科技、麥格米特等。

          臺達電子

          最新HVDC高壓直流系統(tǒng)支持單柜最大功率800kW,母線輸出800VDC,整機轉換效率高達98%。AC-DC機架電源覆蓋415~480VAC輸入及直流800V輸出,配套DC-DC子系統(tǒng)將800V降壓至50V供服務器需求。臺達還同步推出超高效電容模組、e-Fuse熱交換、液冷和氣冷匯流排以及最新的SST原型機,支持直接將10至34.5kV電力轉換到800VDC,全系統(tǒng)效率提升5%。

          麥格米特

          在GTC 2025發(fā)布800V Sidecar機架整體方案,單位機柜功率可達570kW,僅8U空間即提供1MW供電。模塊全部采用SiC器件,轉換效率98%,經NVIDIA認證,即將量產。高密度電容模塊設計與電源裝置緊密適配,有效釋放機架空間。

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