AI新趨勢下的數(shù)據(jù)中心：閃存技術(shù)加速數(shù)據(jù)存儲革新
隨著AI加速滲透各行各業(yè)，數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器在提升計算能力的同時，對數(shù)據(jù)傳輸與存儲也提出了更高要求。如何在有限的空間和成本內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高收益、通過高效存儲方案為計算單元持續(xù)輸送數(shù)據(jù)，以及在保證性能的前提下優(yōu)化能耗和散熱，成為當(dāng)前業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。而其中，閃存技術(shù)則扮演著不可或缺的關(guān)鍵角色。
回顧閃存技術(shù)的發(fā)展，早期主要服務(wù)于消費(fèi)級電子產(chǎn)品，后來憑借著體積小、速度快的優(yōu)勢逐步滲透到企業(yè)級市場，并成為數(shù)據(jù)中心、云計算等領(lǐng)域的重要基礎(chǔ)技術(shù)。近年來，閃存不斷推陳出新，不僅支撐著消費(fèi)級SSD的普及，也在企業(yè)級SSD、數(shù)據(jù)中心級存儲領(lǐng)域成為高速數(shù)據(jù)存取的主力軍。
如今數(shù)據(jù)存儲已經(jīng)步入AI驅(qū)動的新時期，大量創(chuàng)新型存儲方案不斷涌現(xiàn)。為適應(yīng)GPU等高性能計算設(shè)備對數(shù)據(jù)的強(qiáng)勁需求，容量大、速度快、低功耗的閃存設(shè)備日益重要。例如，鎧俠最新一代BiCS Flash第八代產(chǎn)品已經(jīng)在全球范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用，其中TLC型閃存倍受好評，被廣泛采用在消費(fèi)級、企業(yè)級SSD產(chǎn)品以及數(shù)據(jù)中心級CD9P和企業(yè)級CM9系列。
第八代BiCS Flash在QLC領(lǐng)域也取得了突破，LC9系列245.76TB的NVMe SSD已率先登陸市場，為企業(yè)級用戶帶來PB級的數(shù)據(jù)管理能力，加速生成式AI與機(jī)器學(xué)習(xí)場景落地，助力基礎(chǔ)設(shè)施的現(xiàn)代化升級。
值得注意的是，實(shí)現(xiàn)245.76TB這一高容量SSD，背后離不開2Tb的第八代BiCS Flash QLC和創(chuàng)新型CBA（Circuit Bending Architecture）技術(shù)的有機(jī)結(jié)合。單顆芯片采用32層堆疊，結(jié)合更高I/O傳輸速率，使得LC9系列能夠全面滿足AI基礎(chǔ)設(shè)施對高性能和大容量的嚴(yán)苛需求。
與此同時，第八代BiCS Flash的TLC及QLC存儲芯片也被整合進(jìn)了新一代UFS 4.0、UFS 4.1標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。UFS 4.1作為JEDEC推動的新一代移動存儲標(biāo)準(zhǔn)，在性能、能效與可靠性上較上一代進(jìn)一步提升，在讀寫速率方面已經(jīng)與高性能NVMe SSD相當(dāng)。多項創(chuàng)新機(jī)制的加入不僅帶來更快的響應(yīng)速度，也保障了數(shù)據(jù)安全與系統(tǒng)能效，適用于2025年即將問世的旗艦移動終端及車規(guī)級應(yīng)用。
展望未來，鎧俠還將繼續(xù)耕耘閃存領(lǐng)域，第九代、十代BiCS Flash都將基于突破性的CBA架構(gòu)持續(xù)演進(jìn)。第十代產(chǎn)品值得關(guān)注，它采用最新Toggle DDR6.0和SCA協(xié)議，單通道速度提升至4.8Gb/s，功耗也進(jìn)一步優(yōu)化。此外，十代產(chǎn)品堆疊層數(shù)提高到332層，芯片平面布局持續(xù)精細(xì)化，存儲密度再上新臺階。
不論是在UFS還是SSD領(lǐng)域，鎧俠BiCS Flash已在高效、可靠、經(jīng)濟(jì)等多維度展現(xiàn)強(qiáng)大競爭力。未來，鎧俠將持續(xù)致力于高性能、大容量、低能耗、優(yōu)化成本的創(chuàng)新型存儲方案，持續(xù)為數(shù)據(jù)存儲的未來提供更多選擇。
