重寫稿｜MicroLED全彩化迎來量產(chǎn)拐點：鴻石智能發(fā)布“極光耀影XC6”和單片全彩AC3
在材料體系、巨量轉(zhuǎn)移、色彩轉(zhuǎn)換與驅(qū)動集成等關(guān)鍵環(huán)節(jié)協(xié)同演進的推動下，MicroLED 顯示正從單色化跨入全彩化量產(chǎn)新階段：高色域、高效率與高良率正在同向提升。近日，國內(nèi)MicroLED微顯示企業(yè)鴻石智能推出全彩色光機“極光耀影XC6”，并與此前亮相的單片全彩微顯示光芯片 AC3 形成互補，搭建起從合光到單片全彩的完整技術(shù)路徑。
XC6：高亮合光與高色域的階段性突破
超高亮度與色域表現(xiàn)
合光亮度可達約250萬 nits
色域覆蓋：約109.89% NTSC、114.37% DCI-P3、155.15% sRGB
體積與能效
體積極小（約0.35 cc）
光效約8 lm/W，在超高亮場景下兼顧功耗
XC6采用三色合光方案，通過光學棱鏡將R/G/B三色MicroLED精確合成，從而獲得高亮度全彩輸出。其優(yōu)勢不僅體現(xiàn)在亮度與色域的“頂格”表現(xiàn)，也體現(xiàn)在工程可用性：體積極小、集成度高，有利于AR輕量化光機設(shè)計與整機堆疊優(yōu)化。
QDPR：用量子點光刻重塑“紅光難題”的解法
全彩化的核心難點長期集中在紅光：
原生紅光（AlGaInP）在常見襯底上存在顯著晶格失配，內(nèi)量子效率偏低，熱穩(wěn)定與壽命受限；
傳統(tǒng)彩色轉(zhuǎn)換屬于“降頻”過程（藍→紅），會引入轉(zhuǎn)換損失與能效下滑，難以兼顧亮度與色純。
鴻石智能選擇的 QDPR（Quantum Dots Photo-Resist）技術(shù)，通過將量子點材料與半導體光刻深度結(jié)合，在藍綠MicroLED晶圓像素上實現(xiàn)納米級精確沉積紅光量子點：
單紅光亮度峰值最高可達約200萬 nits；
量子點窄半峰寬帶來高色純，直接支撐XC6的高色域與色彩穩(wěn)定；
工藝上與晶圓級流程耦合，有利于像素級均一性與良率提升。
這一路線的價值在于同時對準“效率、亮度、色純、穩(wěn)定性”四個維度發(fā)力，避免了只在材料或后段工藝單點優(yōu)化的局限。
AC3：混合堆疊（HSS）實現(xiàn)單片全彩
與合光路線并行，鴻石智能在單片全彩上采用混合堆疊結(jié)構(gòu)（Hybrid Stack Structure, HSS）：
工藝要點
兩次晶圓鍵合 + 一次量子點色轉(zhuǎn)換
藍/綠外延集成與紅光精準實現(xiàn)
指標與尺寸
白光亮度約120萬 nits
尺寸約0.12英寸，分辨率320×240
像素尺寸約7.5×7.5 μm，像素密度約3400 PPI
像素幾何優(yōu)化
像素間距可做到約2.5 μm，發(fā)光體直徑約1.9 μm
像素溝槽縮小至約0.6 μm（較上一代明顯收窄），提升單位面積像素利用率
單片全彩的價值在于縮短光路、壓縮體積，便于對極致緊湊的近眼顯示系統(tǒng)進行集成優(yōu)化，匹配特定場景對于體積與光效的嚴苛要求。
雙路徑協(xié)同：從方案到生態(tài)
合光方案（XC6）：追求極致亮度與廣色域，適配對光通量與色彩要求極高的近眼系統(tǒng)。
單片全彩（AC3）：聚焦體積、集成度與系統(tǒng)復雜度的全面優(yōu)化。
兩條路徑互為支點：一條拉高亮度與色彩天花板，另一條壓低系統(tǒng)體積與光學復雜度，共同完善全彩MicroLED從底層器件到終端模組的技術(shù)鏈條與產(chǎn)品棧。
產(chǎn)業(yè)化進度與展望
隨著QDPR在紅光環(huán)節(jié)的實裝驗證，以及HSS在像素密度與尺寸控制上的推進，全彩MicroLED正從“技術(shù)可行”走向“商業(yè)可行”。據(jù)悉，鴻石智能正加速推進量產(chǎn)節(jié)奏，其莫干山項目計劃于2026年下半年啟動亮度達約200萬 nits等級的單片全彩微顯示芯片量產(chǎn)調(diào)試。這意味著全彩化方案有望更快進入面向AR等近眼應用的規(guī)?；涞仉A段。
