
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 300mA(Tc)
驅(qū)動電壓 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻 5 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時 Vgs(th) 2.5V @ 250μA
Vgs ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss) 50 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散 830mW(Tc)
工作溫度 -65°C ~ 150°C(TJ)
等級 汽車級
資質(zhì) AEC-Q101
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號 2N7002

