近期，全球存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期，涵蓋 NAND 閃存與 DRAM。多家廠商已啟動(dòng)價(jià)格上調(diào)與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整，供需格局明顯轉(zhuǎn)向賣方市場。以下為要點(diǎn)整理與行業(yè)脈絡(luò)梳理（避免冗詞與重復(fù)，便于轉(zhuǎn)發(fā)使用）。
一、渠道動(dòng)態(tài)與價(jià)格節(jié)奏
SanDisk：面向全渠道與消費(fèi)者產(chǎn)品上調(diào)價(jià)格10%+，即日起僅對新報(bào)價(jià)/新訂單生效，既有承諾不受影響；后續(xù)將定期評估并可能繼續(xù)調(diào)整。
美光：渠道端傳出短期停止報(bào)價(jià)，協(xié)議價(jià)取消，DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5 或上調(diào)20%–30%（預(yù)計(jì)停報(bào)約一周），以再定價(jià)匹配供需。
兆易創(chuàng)新：確認(rèn)二季度起 DRAM 合約價(jià)上行，三季度延續(xù)，利基型 DRAM 收入下半年有望明顯增長。
二、價(jià)格驅(qū)動(dòng)與品類分化
DRAM 與 NAND 同步具備上漲動(dòng)能，但節(jié)奏不同：
DRAM：據(jù) CFM 閃存市場，近半年指數(shù)漲約72%。原廠自去年三季度起將傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)往 DDR5、HBM 等高毛利產(chǎn)品；今年4月起陸續(xù)停產(chǎn) DDR4、LPDDR4X 等舊制程，長尾需求難以完全覆蓋，二季度起 DDR4、LPDDR4X 拉漲并預(yù)計(jì)延續(xù)至年底。HBM 產(chǎn)能擠占疊加制程切換，DDR5、LPDDR5X 下半年趨緊，漲勢擴(kuò)大至全線 DRAM。
NAND：整體仍低位，但服務(wù)器 NAND 因北美需求強(qiáng)勁與“高接受度”客戶優(yōu)先策略，國內(nèi)供給被擠占，四季度有望上調(diào)；移動(dòng)端新品提高容量配置，供需趨緊。另有廠商退出部分移動(dòng) NAND（如 UFS 5.0）研發(fā)，份額將被其余供應(yīng)商承接，四季度 mobile NAND 預(yù)計(jì)小幅上行。
展望：CFM 指出四季度或迎普漲，成為明年春季行情的基調(diào)鋪墊。
三、下游需求側(cè)變化
AI 服務(wù)器強(qiáng)勁：HPC、AI 訓(xùn)練/推理帶動(dòng) HBM/DDR5 與企業(yè)級 SSD 需求，高規(guī)格、低功耗產(chǎn)品優(yōu)先供給頭部客戶。
手機(jī)端提容加速：高端機(jī)型起步容量提升，頂配拉高至 2TB 等，帶動(dòng) mobile NAND/LPDDR 系列用量。
客戶庫存修復(fù)：下游去庫告一段落，真實(shí)需求回歸，價(jià)格彈性顯現(xiàn)。
四、國內(nèi)廠商的應(yīng)對與機(jī)會(huì)
供給缺口轉(zhuǎn)移紅利：海外原廠聚焦高利潤產(chǎn)品，利基 DRAM 讓位，國內(nèi)廠商切入窗口打開。
兆易創(chuàng)新（利基 DRAM）
價(jià)格自3月起上行，二季度漲幅顯著；毛利率自一季度起爬升至兩位數(shù)以上。
DDR4 8Gb 年初量產(chǎn)，趕上短缺期，已在 TV、工業(yè)等落地量產(chǎn)，DRAM 收入占比提升至60%以上；LPDDR4 小容量占比達(dá)兩位數(shù)。
目標(biāo)：全年 DRAM 線收入同比增長50%+；數(shù)年內(nèi)爭取國內(nèi)利基 DRAM 市場約三分之一份額。
江波龍（Longsys）
判斷自2025年3月底起需求實(shí)質(zhì)回暖；受原廠謹(jǐn)慎供給影響，三季度服務(wù)器與手機(jī)存儲(chǔ)仍具上行動(dòng)能。
企業(yè)級 PCIe SSD 與 RDIMM 已批量導(dǎo)入國內(nèi)頭部企業(yè)，布局 CXL 2.0、MRDIMM 等新形態(tài)內(nèi)存；發(fā)布 SOCAMM2，主打近 CPU 布局與能效/散熱優(yōu)勢，突破傳統(tǒng) RDIMM 瓶頸。
自研主控累計(jì)出貨超 8000 萬顆，UFS 4.1 正在多家 Tier1 驗(yàn)證，全年出貨預(yù)計(jì)放量。
北京君正
側(cè)重汽車、工業(yè)醫(yī)療等高可靠細(xì)分，供給穩(wěn)定；汽車市場復(fù)蘇帶動(dòng)存儲(chǔ)需求改善。
車規(guī)存儲(chǔ)市場約 20+ 億美金，智能座艙/自動(dòng)駕駛帶來 LPDDR4 大容量需求（8G/16G/32G+）；新工藝 DDR4、LPDDR4 持續(xù)導(dǎo)入，有望帶來增長。
市場規(guī)模判斷：利基 DRAM 約百億美元體量，其中約一半為高可靠（車規(guī)/工業(yè)/醫(yī)療），另一半為低端消費(fèi)。
五、供需與策略觀察
供給側(cè)：HBM 擠占、制程切換、舊品停產(chǎn)，疊加原廠審慎擴(kuò)產(chǎn)，維持緊平衡；價(jià)格由長協(xié)與重點(diǎn)客戶定錨，渠道彈性加大。
需求側(cè)：AI、數(shù)據(jù)中心、車載智艙/智能駕駛、手機(jī)高配成為主動(dòng)力；傳統(tǒng) PC 客顯性復(fù)蘇有限但高端配置拉動(dòng)單位容量。
策略建議（給渠道/整機(jī)/方案商）
提前鎖定關(guān)鍵料（DDR5、LPDDR5X、企業(yè)級 NAND/SSD），拉長交期預(yù)期。
對舊制程（DDR4、LPDDR4/4X）做好替代與壽命管理，關(guān)鍵行業(yè)（車規(guī)/工業(yè)）關(guān)注 LTB 與兼容性驗(yàn)證。
價(jià)格條款采用階梯或浮動(dòng)機(jī)制，避免單點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)；庫存以“可覆蓋交付周期+安全庫存”為度。
關(guān)注國內(nèi)廠商在利基 DRAM 與主控/模組上的導(dǎo)入節(jié)奏，適時(shí)進(jìn)行雙供布局。
高溫場景與能效訴求上，可評估 SOC/近內(nèi)存形態(tài)與新型模組（如 SOCAMM2、MRDIMM）的驗(yàn)證計(jì)劃。
六、結(jié)論
本輪漲價(jià)由結(jié)構(gòu)性供給收縮與高端需求共振驅(qū)動(dòng)，DRAM 漲幅領(lǐng)先，NAND 四季度跟漲可期。
海外原廠的產(chǎn)能與客戶優(yōu)先策略將繼續(xù)影響國內(nèi)供應(yīng)，渠道價(jià)格不穩(wěn)定性上升。
國內(nèi)廠商在利基 DRAM、車規(guī)/工業(yè)與自研主控方向獲得窗口期，量價(jià)齊升可期，但需要把握質(zhì)量認(rèn)證與長期供貨能力。
