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          今日看點(diǎn)丨宇樹科技將在四季度提交IPO申請(qǐng);美國再次對(duì)中國產(chǎn)GPU/主板等半導(dǎo)體關(guān)稅豁免

          2025-9-4 9:17:00
          • 今日看點(diǎn)丨宇樹科技將在四季度提交IPO申請(qǐng);美國再次對(duì)中國產(chǎn)GPU/主板等半導(dǎo)體關(guān)稅豁免

          今日看點(diǎn)丨宇樹科技將在四季度提交IPO申請(qǐng);美國再次對(duì)中國產(chǎn)GPU/主板等半導(dǎo)體關(guān)稅豁免

          — 半導(dǎo)體/電子與智能制造快訊 —

          圣邦微推出車規(guī)級(jí)理想二極管控制器 SGM25733Q

          面向:車載信息娛樂、冗余電源有源“或”電路、ADAS 攝像頭、電企與工控 PLC 等

          關(guān)鍵特性:輸入 3.2V–65V;外接 NMOS,典型正向壓降約 20 mV;可抵御至 ?65V 反接;反向電流快速關(guān)斷響應(yīng)

          作用機(jī)理:通過控制外部 MOSFET 柵極維持低壓降整流,并在反灌時(shí)關(guān)斷以避免穩(wěn)態(tài)反向電流

          宇樹科技計(jì)劃四季度遞交 IPO 申請(qǐng)

          時(shí)間窗口:預(yù)計(jì) 10–12 月向中國交易所提交

          產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(以 2024 年為例):四足機(jī)器人約 65%,人形機(jī)器人約 30%,組件約 5%

          應(yīng)用分布:四足機(jī)器人約 80% 用于科研/教育/消費(fèi),約 20% 用于工業(yè)巡檢、消防;人形機(jī)器人以科研/教育/消費(fèi)為主

          美方延長對(duì)中國產(chǎn) GPU/主板/SSD 的關(guān)稅豁免

          措施:USTR 將原定到期的 25% 關(guān)稅豁免再次延長至 2025-11-29

          背景:基于公眾意見與供應(yīng)鏈限制;承認(rèn)非中供應(yīng)商承接能力不足

          脈絡(luò):301 關(guān)稅自 2018 年施行,顯卡/主板自 2019 年起多次獲臨時(shí)豁免且反復(fù)延期;官方稱不排除進(jìn)一步調(diào)整

          飛行汽車在機(jī)場(chǎng)試運(yùn)營(據(jù)外媒 9 月 2 日?qǐng)?bào)道)

          企業(yè)與形態(tài):美國加州圣馬特奧公司推出純電飛行汽車,可垂直起降,支持道路行駛,外觀無外露槳

          關(guān)鍵指標(biāo):續(xù)航(飛行)約 170 km;標(biāo)價(jià)約 30 萬美元(約合人民幣 214 萬)

          進(jìn)展:已與兩家機(jī)場(chǎng)達(dá)成試運(yùn)營;累計(jì)預(yù)訂約 3300 臺(tái);押金分 150 美元與 1500 美元兩檔(后者享優(yōu)先交付)

          資本關(guān)聯(lián):據(jù)紐約郵報(bào)早前報(bào)道,SpaceX 參與投資

          英特爾資深封裝負(fù)責(zé)人將赴 ADI 任要職

          人事變動(dòng):Narahari Ramanuja 將于 9 月底出任 ADI 比弗頓晶圓廠董事總經(jīng)理兼總經(jīng)理

          ADI 動(dòng)態(tài):對(duì)比弗頓工廠投資約 10 億美元升級(jí),系其最大產(chǎn)線之一;在華盛頓州卡馬斯亦設(shè)工廠

          行業(yè)側(cè)寫:英特爾近期多位高層技術(shù)/管理人士退休或流動(dòng),制造與封裝團(tuán)隊(duì)人事變更頻繁

          SK 海力士引進(jìn)業(yè)界首臺(tái)量產(chǎn)型 High-NA EUV(韓國利川 M16)

          設(shè)備:ASML TWINSCAN EXE:5200B(High-NA EUV,NA 0.55)

          相對(duì)提升:相較 NA 0.33 EUV,光學(xué)數(shù)值孔徑提升至 0.55;據(jù)披露可實(shí)現(xiàn)約 1.7 倍更高圖形精度與約 2.9 倍集成度提升

          意義:在先進(jìn) DRAM 繼續(xù)擴(kuò)展 EUV 應(yīng)用基礎(chǔ)上,面向更高微縮與大規(guī)模集成的下一代量產(chǎn)路徑

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