
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 5.8A(Ta)
驅(qū)動電壓( Rds On, Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻 28 毫歐 @ 5.8A,10V
不同 Id 時 Vgs(th) 1.45V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg) 7 nC @ 4.5 V
Vgs ±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss) 630 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散 1.4W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

