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          手機高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告

          2025-4-17 22:49:00
          • 5G手機主板局部溫度突破95℃(快充芯片/射頻前端/圖像處理器區(qū)域)


          手機心臟的"烤"驗戰(zhàn)場

          手機高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告

          5G手機主板局部溫度突破95℃(快充芯片/射頻前端/圖像處理器區(qū)域)

          "當你的手機:

          邊快充邊玩《悟空》時 →電感溫度飆升至110℃


          4K視頻連續(xù)拍攝時 →電感持續(xù)工作在85℃+


          地鐵刷劇1小時后 →主板形成局部高溫區(qū)


          傳統(tǒng)電感正在經歷材料疲勞的隱形崩塌..."

          手機高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告

          1. 實驗標準對比(嚴于車載產品標準)


          手機高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告


          2. 實驗前后形態(tài)對比(產品內、外部無開裂情形)



          3、性能驗證:同規(guī)格產品與某臺系規(guī)格參數(shù)比對試驗后平均降幅小

          手機高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告

          · L值測試設備:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)


          · DCR值測試設備:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)




          手機高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告




          4、技術解析:為何能通過地獄級考驗?



          ① 材料革命


          160℃高溫測試材料磁導率變化曲線:(250H~1000H材料變化率低)

          手機高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告


          ② 成型工藝對比



          英麥科-液態(tài)等靜壓成型工藝


          全方位溫度壓力控制:


          外層/核心層:200℃快速固化→形成保護殼,消除內應力


          VS


          臺系品牌-機械模壓成型工藝


          傳統(tǒng)機械式模壓


          成型壓力:6噸、20噸、30噸、60噸


          單顆產品受力約400~500kg,受模具影響,


          產品受力不均,線圈易變形,且居中度不佳



          ③ 材料對比



          英麥科—耐高溫介質材料


          玻璃化轉變溫度(Tg):280℃(競品180℃)


          熱膨脹系數(shù)(CTE):2.8ppm/℃(競品5.5ppm/℃)


          VS


          其他品牌——常規(guī)材料,磷化工藝搭配樹脂混合使用



          可靠性提升公式


          MTBF(XX) = e^(ΔT/10) × MTBF(常規(guī))


          (ΔT=驗證溫差35℃ → 理論壽命提升32倍)

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