三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署3D NAND混合鍵合專(zhuān)利許可合作
近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正式與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)成專(zhuān)利授權(quán)協(xié)議，涉及3D NAND中最為關(guān)鍵的混合鍵合技術(shù)。根據(jù)該協(xié)議，自三星第10代V-NAND產(chǎn)品開(kāi)始，將采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)，特別是在晶圓鍵合（W2W, Wafer-to-Wafer）環(huán)節(jié)中取得突破性應(yīng)用。這一合作協(xié)議標(biāo)志著全球存儲(chǔ)芯片技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入新階段。
W2W技術(shù)的簡(jiǎn)介與重要性
W2W技術(shù)是指直接將兩片經(jīng)過(guò)加工的晶圓對(duì)接、鍵合在一起，替代了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接方式。在此過(guò)程中，通過(guò)同心匹配的貼合工藝縮短了電氣路徑，并有效提高了芯片的性能和散熱能力。與傳統(tǒng)的制造工藝相比，這項(xiàng)技術(shù)可顯著提升生產(chǎn)效率，尤其對(duì)于堆疊層數(shù)超過(guò)400層的3D NAND產(chǎn)品有不可替代的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。三星計(jì)劃在2025年下半年正式量產(chǎn)第10代3D NAND（V10），其堆疊層數(shù)預(yù)計(jì)將突破420層，基于W2W技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用將成為技術(shù)發(fā)展的必然選擇。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)“晶?！保╔tacking）技術(shù)的特點(diǎn)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的晶棧Xtacking技術(shù)是目前業(yè)界領(lǐng)先的3D NAND混合鍵合方案。自四年前投入商業(yè)化以來(lái)，該技術(shù)已在業(yè)界獲得高度認(rèn)可，并被不斷升級(jí)。其主要特點(diǎn)包括：
先進(jìn)架構(gòu)設(shè)計(jì)
Xtacking創(chuàng)新性地將外圍電路與存儲(chǔ)單元分別獨(dú)立加工后，通過(guò)混合鍵合技術(shù)結(jié)合為一個(gè)整體。從而達(dá)到了性能和成本的平衡，顯著提升了存儲(chǔ)密度。與傳統(tǒng)CuA架構(gòu)相比，Xtacking技術(shù)通過(guò)將外圍電路合理布局至單元之上，減少了約25%的芯片面積，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的性能表現(xiàn)。
高效率模塊化設(shè)計(jì)
Xtacking技術(shù)允許更先進(jìn)的邏輯工藝用于外部電路。在芯片開(kāi)發(fā)上，這種模塊化設(shè)計(jì)能縮短約三個(gè)月的研發(fā)周期，同時(shí)使生產(chǎn)周期減少20%。此外，該架構(gòu)為產(chǎn)品定制化提供了更多可能性，滿足差異化存儲(chǔ)市場(chǎng)需求。
第二代及以上技術(shù)升級(jí)
晶棧Xtacking2.0進(jìn)一步優(yōu)化了架構(gòu)優(yōu)勢(shì)，提高了性能和成本競(jìng)爭(zhēng)力。而在最新一代Xtacking4.x技術(shù)中，其TLC NAND的位密度已突破20Gbit/mm2。這不僅刷新行業(yè)記錄，也為高層堆疊3D NAND的普及打下技術(shù)基礎(chǔ)。
合作背景與專(zhuān)利壁壘
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在過(guò)去近十年內(nèi)，在混合鍵合技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行了深厚的技術(shù)投入，并圍繞晶棧架構(gòu)完成了全面的專(zhuān)利布局。目前與長(zhǎng)江存儲(chǔ)同一領(lǐng)域擁有專(zhuān)利實(shí)力的包括美國(guó)Xperi及中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電。對(duì)于三星、SK海力士等希望進(jìn)一步發(fā)展400層以上3D NAND的廠商而言，繞開(kāi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的相關(guān)專(zhuān)利幾乎不可能。因此，此次三星主動(dòng)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)成合作不僅是技術(shù)發(fā)展所需，也是對(duì)全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)格局重新調(diào)整的客觀反映。
未來(lái)技術(shù)展望
隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)與三星的合作落地，其Xtacking技術(shù)有望持續(xù)助力3D NAND向更高層數(shù)、更高密度的方向演進(jìn)。隨著晶棧架構(gòu)的升級(jí)與普及，業(yè)內(nèi)認(rèn)為混合鍵合技術(shù)將逐漸成為3D NAND領(lǐng)域的新標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)邁向更高效能、更高存儲(chǔ)密度的全新時(shí)代。
