分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS?
包裝
卷帶（TR）
零件狀態(tài)
Digi-Key 停止提供
FET 類型
N 溝道，耗盡型
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
120mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
45 歐姆 @ 120mA，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
1V @ 94μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
4.9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
146 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等級(jí)
汽車級(jí)
資質(zhì)
AEC-Q101
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-SOT223-4
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
