關(guān)鍵特性
_存儲容量：2 Mb（256 KB）
_接口：SPI 兼容接口（支持模式 0 和模式 3）
_工作電壓：
_2.7 V 至 3.6 V（低電壓版本）
_頁大小：
_主存儲器：264 字節(jié)/頁
_緩沖存儲器：264 字節(jié)
_讀寫性能：
_最高時鐘頻率：85 MHz
_頁編程時間：典型值 7 ms
_塊擦除時間：典型值 35 ms
_耐久性：
_每頁可擦寫次數(shù)：10 萬次
_數(shù)據(jù)保留：20 年
_封裝：8 引腳 SOIC
功能描述
AT45DB021E-SHN-T 是一款基于 SPI 接口的 NOR 閃存，具有以下功能特點：
_靈活的頁操作：
_支持頁編程和頁讀取。
_提供兩個 264 字節(jié)的 SRAM 緩沖區(qū)，支持連續(xù)讀寫操作。
_低功耗設(shè)計：
_適合電池供電設(shè)備。
_硬件保護：
_支持寫保護和部分區(qū)域保護。
_快速擦除：
_支持頁擦除、塊擦除和整片擦除。
應(yīng)用領(lǐng)域
AT45DB021E-SHN-T 廣泛應(yīng)用于需要小容量、高可靠性和低功耗存儲的場景，包括：
_消費電子：
_智能家居設(shè)備
_可穿戴設(shè)備
_工業(yè)控制：
_數(shù)據(jù)記錄
_固件存儲
_通信設(shè)備：
_網(wǎng)絡(luò)設(shè)備配置存儲
_無線模塊固件存儲
_醫(yī)療設(shè)備：
_便攜式醫(yī)療設(shè)備數(shù)據(jù)存儲
_汽車電子：
_車載傳感器數(shù)據(jù)存儲
