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          破產(chǎn)、并購(gòu)、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

          2025-1-6 9:28:00
          • 破產(chǎn)、并購(gòu)、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

          破產(chǎn)、并購(gòu)、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

          2024年,第三代半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展與挑戰(zhàn)并存的一年。在清潔能源、新能源汽車等傳統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)景持續(xù)滲透的同時(shí),行業(yè)也迎來(lái)了數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等新興領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)。然而,隨著碳化硅(SiC)行業(yè)的大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn),市場(chǎng)需求增速低于預(yù)期,行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇,部分企業(yè)未能熬過(guò)淘汰賽階段。以下是2024年全球碳化硅和氮化鎵(GaN)領(lǐng)域的十大重大事件盤點(diǎn):

          1. 兩家美國(guó)垂直GaN初創(chuàng)公司倒閉

          2024年初,美國(guó)兩家專注于垂直GaN器件的初創(chuàng)公司接連倒閉:

          NexGen Power Systems于1月宣布破產(chǎn)。

          Odyssey于3月出售晶圓廠資產(chǎn)后解散。

          垂直GaN器件因采用GaN單質(zhì)襯底,具備高性能和可靠性,但高昂的制造成本成為商業(yè)化的主要障礙。盡管學(xué)術(shù)界提出了基于SiC襯底的解決方案,但成本難題仍未解決,最終導(dǎo)致這些公司在量產(chǎn)前倒下。

          2. PI收購(gòu)Odyssey資產(chǎn)

          2024年5月,**PI(Power Integrations)**宣布收購(gòu)Odyssey的全部資產(chǎn),并吸納其核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)。PI計(jì)劃將高電流高電壓GaN技術(shù)商業(yè)化,用于取代碳化硅器件,特別是在汽車充電樁、太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中,以更低成本提供更高性能。

          3. 功率GaN進(jìn)入1700V時(shí)代

          2024年,GaN器件耐壓性能進(jìn)一步提升:

          致能科技與西安電子科技大學(xué)等合作,在6英寸藍(lán)寶石襯底上成功研發(fā)出1700V GaN HEMT器件。

          PI推出全球首款1700V GaN開(kāi)關(guān)IC(InnoMux-2系列),適用于汽車充電樁、太陽(yáng)能逆變器等高功率應(yīng)用,進(jìn)一步推動(dòng)GaN器件在高壓市場(chǎng)的滲透。

          4. 比亞迪新建全球最大碳化硅工廠

          2024年6月,比亞迪宣布其新建的碳化硅工廠預(yù)計(jì)下半年投產(chǎn),產(chǎn)能規(guī)模為全球第一,是第二名的十倍。

          比亞迪已在碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局,具備從SiC晶圓到功率模塊的完整能力。其1200V SiC功率模塊已應(yīng)用于新能源汽車,未來(lái)產(chǎn)能提升將進(jìn)一步增強(qiáng)其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

          5. 英飛凌啟用全球最大SiC晶圓廠

          2024年8月,英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的8英寸SiC晶圓廠一期項(xiàng)目正式投產(chǎn),投資額高達(dá)20億歐元。該工廠獲得約50億歐元設(shè)計(jì)訂單,其中10億歐元為預(yù)付款。

          然而,由于市場(chǎng)需求放緩,英飛凌于11月宣布推遲居林工廠二期建設(shè)計(jì)劃,并下調(diào)2025財(cái)年的資本支出。

          6. Wolfspeed擱置德國(guó)SiC工廠計(jì)劃

          2024年10月,Wolfspeed宣布無(wú)限期擱置其在德國(guó)薩爾州的30億美元SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃。盡管此前與采埃孚合作建立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,但因融資問(wèn)題和市場(chǎng)需求疲軟,該項(xiàng)目被推遲至2025年后再啟動(dòng)。

          7. SiC襯底進(jìn)入12英寸時(shí)代

          2024年,碳化硅襯底技術(shù)取得突破:

          天岳先進(jìn)發(fā)布首款300mm(12英寸)碳化硅襯底。

          博雅新材和中電科爍科晶體也分別展示了12英寸碳化硅晶錠和高純半絕緣襯底。

          12英寸襯底的應(yīng)用將顯著提升芯片產(chǎn)量并降低單位成本,為碳化硅的大規(guī)模應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

          8. 安森美收購(gòu)UnitedSiC

          2024年12月,安森美以1.15億美元收購(gòu)Qorvo旗下UnitedSiC業(yè)務(wù),補(bǔ)充其EliteSiC產(chǎn)品線。

          UnitedSiC的SiC JFET技術(shù)適用于數(shù)據(jù)中心電源的中小功率應(yīng)用,安森美計(jì)劃借此擴(kuò)展AI數(shù)據(jù)中心和固態(tài)斷路器等新興市場(chǎng)的布局。

          9. 世紀(jì)金光破產(chǎn)清算

          2024年11月,北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司因資金鏈斷裂被法院受理破產(chǎn)清算。

          作為國(guó)內(nèi)最早的SiC IDM企業(yè)之一,世紀(jì)金光曾布局全產(chǎn)業(yè)鏈,并計(jì)劃投資35億元建設(shè)SiC芯片產(chǎn)線。然而,因市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈和資金問(wèn)題,最終未能走出困境。

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