GaN 場效應(yīng)晶體管 BSP125L6327HTSA1 Infineon(英飛凌)SOT-223-4 20k咨詢了解

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: GaN 場效應(yīng)晶體管

發(fā)貨限制：

Mouser 目前在您所在地區(qū)不銷售該產(chǎn)品。

RoHS:

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-223-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 120 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 45 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 14.4 ns

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

產(chǎn)品: MOSFET Small Signals

產(chǎn)品類型: GaN FETs

上升時間: 14.4 ns

系列: BSP125

1000

子類別: Transistors

技術(shù): GaN

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 7.7 ns

零件號別名: BSP125L6327HTSA1

單位重量: 112 mg