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    AI帶動(dòng)HBM

    2024-11-27 9:10:00
    • AI帶動(dòng)HBM、LPDDR5暢旺,明年內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)判

    AI帶動(dòng)HBM

    在近期由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上,分析師們深入探討了AI技術(shù)對(duì)存儲(chǔ)及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)作用。

    AI驅(qū)動(dòng)高算力需求,帶動(dòng)半導(dǎo)體變革

    集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮指出,AI應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)高效能運(yùn)算芯片需求,成為近兩年來先進(jìn)制程及晶圓代工產(chǎn)業(yè)的主要增長(zhǎng)動(dòng)力。隨著AI技術(shù)的普及,內(nèi)存廠商也在積極尋求先進(jìn)制程的合作伙伴,以滿足高算力需求。同時(shí),區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)的加劇將進(jìn)一步改變?nèi)虬雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局,先進(jìn)制程與封裝技術(shù)將成為未來競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。

    此外,晶圓廠的上中下游生態(tài)系統(tǒng),包括IP、設(shè)計(jì)服務(wù)及封測(cè)資源,也成為AI領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)的重要基礎(chǔ)。除了先進(jìn)制程的機(jī)會(huì),Edge AI是否能為成熟制程注入新需求,也成為2025年晶圓代工產(chǎn)業(yè)的重要觀察方向。

    AI服務(wù)器市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)

    集邦咨詢研究經(jīng)理劉家豪表示,隨著全球AI服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)云端服務(wù)及AI基礎(chǔ)設(shè)施需求的增強(qiáng),預(yù)計(jì)2025年AI服務(wù)器出貨量將持續(xù)攀升,達(dá)到約15%的增長(zhǎng)。

    內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的供需動(dòng)態(tài):HBM與LPDDR成為焦點(diǎn)

    供給端:HBM產(chǎn)量增長(zhǎng),供需緊張

    根據(jù)集邦咨詢資深研究副總吳雅婷的分析,HBM(高帶寬內(nèi)存)正成為市場(chǎng)熱點(diǎn)。三星、SK海力士和美光等主要廠商均在擴(kuò)大HBM產(chǎn)能,其中SK海力士的HBM產(chǎn)量占比達(dá)到14%,三星為9%,美光則為6%。盡管HBM生產(chǎn)難度較高,但需求持續(xù)旺盛,因此2024年HBM供過于求的可能性較低。

    HBM價(jià)格方面,由于市場(chǎng)熱度持續(xù),預(yù)計(jì)2024年價(jià)格仍將上漲,尤其是HBM3e產(chǎn)品,其市場(chǎng)占比預(yù)計(jì)將達(dá)到85%。英偉達(dá)仍是HBM的最大采購(gòu)客戶,預(yù)計(jì)2025年其采購(gòu)量占比將從今年的58%提升至73%。

    需求端:AI推動(dòng)LPDDR和AI服務(wù)器內(nèi)存增長(zhǎng)

    在需求端,AI相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品(如AI LPDDR和AI Server DRAM)的增長(zhǎng)潛力顯著。吳雅婷指出,英偉達(dá)的Grace CPU采用onboard設(shè)計(jì),推動(dòng)了LPDDR5X在AI服務(wù)器中的應(yīng)用。2024年,LPDDR5X在AI服務(wù)器市場(chǎng)的增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將超過40%。此外,LPDDR5在智能手機(jī)中的應(yīng)用占比將提升至55%。

    內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)

    整體來看,2024年內(nèi)存市場(chǎng)供需仍較為緊張。HBM的快速滲透將帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上漲,但一般型DRAM(Conventional DRAM)價(jià)格預(yù)計(jì)仍有小幅下跌。2024年第一季度,DRAM價(jià)格可能下跌10%,而下半年隨著供需調(diào)整,價(jià)格或有回升。

    在Mobile DRAM方面,LPDDR5X因AI應(yīng)用需求增長(zhǎng),表現(xiàn)更為穩(wěn)健,而LPDDR4X因智能手機(jī)向LPDDR5遷移,價(jià)格走勢(shì)承壓。

    2025年展望:HBM引領(lǐng)內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng)

    展望2025年,HBM的市場(chǎng)滲透率將進(jìn)一步提升,占內(nèi)存市場(chǎng)總產(chǎn)值的34%-40%。盡管DRAM總供給位元預(yù)計(jì)增長(zhǎng)25%,需求增長(zhǎng)23%,但整體內(nèi)存廠商的獲利能力仍將取決于其在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

    總體而言,AI技術(shù)的快速發(fā)展正在深刻影響內(nèi)存及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局,HBM和LPDDR等高性能內(nèi)存產(chǎn)品將成為未來市場(chǎng)的關(guān)鍵增長(zhǎng)點(diǎn)。

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