STGWA80H65DFB

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

RoHS:

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.65 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 120 A

Pd-功率耗散: 535 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

資格: AEC-Q100

封裝: Tube

商標(biāo): STMicroelectronics

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量：30

子類別: IGBTs

單位重量: 6.100 g