零件狀態(tài)在售
FET 類型P 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）5.2 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）5125 pF @ 15 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）5W（Ta），48W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝PowerPAK? SO-8
封裝/外殼PowerPAK? SO-8
基本產(chǎn)品編號SI7149
