
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 380mA(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓() 5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻() 2 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)() 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)() 0.3 nC @ 4.5 V
Vgs() ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)() 50 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散() 370mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號(hào) 2N7002


