K4B2G1646F-BYMA 是三星公司生產(chǎn)的一款 DDR3 存儲芯片。其主要特點如下：
基本參數(shù)：
存儲容量：為 2Gb，即 256MB（按照 8 位數(shù)據(jù)寬度計算），組織形式為 128M×16，意味著該芯片具有 128M（128×1024×1024 = 134217728）個存儲單元，每個存儲單元的寬度為 16 位。
封裝形式：采用 96 球 FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封裝，這種封裝具有體積小、引腳間距小、信號傳輸速度快等優(yōu)點，適用于對空間要求較高的電子設(shè)備。
工作電壓：支持 1.35V（1.28V~1.45V）或 1.5V（1.425V~1.575V）的單電源供電，以及 1.35V（1.28V~1.45V）或 1.5V（1.425V~1.575V）的 VDDQ 供電，能夠滿足不同電路設(shè)計的電壓需求。
性能指標(biāo)：
數(shù)據(jù)傳輸速率：具有較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，可實現(xiàn)高速雙倍數(shù)據(jù)速率傳輸，例如在 933MHz 的時鐘頻率（fck）下，傳輸速率可達(dá) 1866MB/s/pin。
延遲特性：可編程 CAS 延遲（CAS Latency）為 5、6、7、8、9、10、11、13 等不同的值，可編程附加延遲為 0、CL-2 或 CL-1 時鐘，可編程 CAS 寫延遲（CWL）根據(jù)不同的工作頻率有不同的設(shè)置，如 DDR3-800 對應(yīng) 5，DDR3-1066 對應(yīng) 6 等。
其他特性：具有 8 個存儲體（banks），支持突發(fā)長度為 8 或 4，支持雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通、內(nèi)部自校準(zhǔn)（通過 ZQ 引腳進(jìn)行）、使用 ODT 引腳進(jìn)行裸片端接、異步復(fù)位等功能。
工作溫度范圍：支持工業(yè)溫度范圍，一般為 -40℃至 95℃。
該存儲芯片廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備，如電腦、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備等，用于存儲程序代碼、數(shù)據(jù)等信息。
