英飛凌近日宣布推出全球首款20微米厚度的超薄硅功率晶圓，使其成為首個掌握此項先進加工技術的企業(yè)。新晶圓的直徑為300毫米，其厚度僅為頭發(fā)絲的四分之一，比當前業(yè)界普遍使用的40-60微米晶圓薄了一半。
英飛凌技術突破的影響
英飛凌科技的首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，新型超薄硅晶圓代表了企業(yè)在推動功率半導體技術方面的重要進展，有助于在全球追求低碳化和數字化的趨勢中創(chuàng)造更多價值。這一技術不僅展現了英飛凌在Si、SiC和GaN等半導體材料領域的優(yōu)勢，也鞏固了其行業(yè)創(chuàng)新的領先地位。
20微米超薄功率晶圓的主要優(yōu)勢包括：
熱性能改進：更薄的晶圓可以提升散熱性能，減少芯片在運作中的熱量積累，確保穩(wěn)定運行。
性能提升：晶圓厚度減半可降低基板電阻約50%，從而減少功率損耗，尤其適用于高端AI服務器的功率轉換需求。
封裝適應性：超薄晶圓可以支持更緊湊的封裝設計，提升功率密度并減少芯片體積和重量。
面對挑戰(zhàn)，英飛凌采用了創(chuàng)新的晶圓研磨工藝，并開發(fā)了應對翹曲問題的專利技術，以確保生產精度和器件可靠性。
英飛凌在功率半導體市場的地位
英飛凌在全球功率半導體市場擁有顯著的份額，占比22.8%，繼續(xù)在技術創(chuàng)新和市場占有方面保持領先。憑借全面的功率產品線，包括Si、SiC、GaN等，英飛凌不斷拓展其市場影響力。
英飛凌在馬來西亞的碳化硅晶圓廠項目標志著功率半導體制造能力的進一步提升，這可能重新定義全球市場格局。
對全球和國內市場的影響
全球功率半導體市場正在平穩(wěn)增長，預計到2024年市場規(guī)模將達到522億美元。英飛凌在Si、SiC和GaN技術上的優(yōu)勢地位可能加劇市場競爭，尤其對國內功率半導體廠商構成挑戰(zhàn)。
中國市場作為全球功率半導體需求的大頭，正迎頭趕上，涌現了許多具影響力的國產廠商。然而，國產企業(yè)仍需在核心技術和高端市場上加快追趕步伐，以應對國際領先廠商的競爭壓力和技術迭代帶來的挑戰(zhàn)。
總結
盡管全球功率半導體市場增長趨緩，但技術革新和市場競爭依舊激烈。對于國內廠商而言，提升技術研發(fā)能力和新生產能力至關重要，以便在國際舞臺上取得更大競爭優(yōu)勢。
