零件狀態(tài)在售
FET 類型P 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)25A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）80 毫歐 @ 25A，5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）20 nC @ 5 V
Vgs（最大值）±15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）1260 pF @ 25 V
FET 功能-功率耗散（最大值）75W（Tj）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK封裝/外殼TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63
基本產(chǎn)品編號NTD25
