英飛凌近日發(fā)布了一款全球最薄的硅功率晶圓，達到20μm厚度，成為首家掌握該項技術的公司。這款晶圓的厚度僅為常見40-60μm晶圓的一半，直徑為300mm。
英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，該超薄晶圓技術不僅展示了英飛凌在功率半導體技術上的進步，還標志著在節(jié)能功率解決方案領域的重要發(fā)展，有助于響應全球低碳化和數(shù)字化趨勢。借助這一技術突破，英飛凌掌握了硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）三種材料，鞏固了行業(yè)創(chuàng)新的領先地位。
作為全球功率半導體的領導者，英飛凌在推出20μm超薄晶圓后，進一步擴大了在這一領域的優(yōu)勢。對于國內功率半導體企業(yè)來說，技術升級帶來了更大的挑戰(zhàn)。
20μm超薄晶圓的優(yōu)勢從40-60μm到20μm的厚度減少帶來了顯著優(yōu)勢。首先，它提升了功率器件的散熱性能，從而增強了芯片的穩(wěn)定性。此外，晶圓厚度減半可降低基板電阻50%，減少功率損耗超過15%。特別是在高端AI服務器中，這對于降低工作電壓和提升功率轉換效率至關重要。超薄晶圓還支持更小型的封裝，有助于減小體積和提升功率密度。
不過，采用如此薄的晶圓需要克服技術挑戰(zhàn)，如改善傳統(tǒng)的晶圓減薄工藝，解決薄晶圓的翹曲問題，英飛凌已研發(fā)出專利技術應對這些困難。新技術已經(jīng)應用于英飛凌的集成智能功率級產品中，并交付給首批客戶。
全球市場的潛在變化2023年，英飛凌占據(jù)了全球功率半導體市場22.8%的份額，大幅領先于競爭對手安森美和意法半導體。英飛凌的產品涵蓋IGBT、功率MOSFET及各種驅動器和電源轉換器，利用硅、碳化硅及氮化鎵技術。
推出基于20μm晶圓的新技術后，英飛凌可能進一步提升市場主導地位。同時，該公司在9月12日宣布的300 mm氮化鎵技術也將推動GaN功率半導體市場的增長。此外，英飛凌在馬來西亞的SiC晶圓廠已啟動，這有可能改變當前的市場格局。
盡管中國是全球最大的功率半導體市場，占全球市場約40%，國產廠商仍面臨與國際領先企業(yè)在核心技術上的差距。尤其在SiC和GaN技術上，國內企業(yè)起步稍晚，需要加快產業(yè)布局和技術研發(fā)，以迎接前沿技術帶來的挑戰(zhàn)。
