據(jù)《韓國先驅(qū)報(bào)》報(bào)道，三星電子DS部門存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的總裁兼總經(jīng)理Jungbae Lee展示了三星電子未來內(nèi)存產(chǎn)品的發(fā)展藍(lán)圖。
根據(jù)DDR內(nèi)存路線圖，三星計(jì)劃在2024年推出采用1c nm制程技術(shù)的DDR內(nèi)存，該技術(shù)能夠提供具有32Gb顆粒容量的產(chǎn)品；到2026年，三星將推出其最后一代10nm級(jí)工藝的1d nm DDR內(nèi)存，同樣提供最大32Gb的顆粒容量；展望2027年，三星將邁入10nm以下級(jí)DRAM制程節(jié)點(diǎn)。屆時(shí)，三星將發(fā)布采用0a nm工藝的DDR內(nèi)存產(chǎn)品，內(nèi)存單顆粒的容量將顯著提升至48Gb，即6GB。
而在LPDDR方面，三星還介紹了LPDDR5-PIM產(chǎn)品。這一整合計(jì)算單元的存儲(chǔ)介質(zhì)可提升70% 系統(tǒng)能效和最多8倍性能；HBM方面，三星電子明確了其下一代產(chǎn)品HBM4E將于2026年推出。
封面圖片來源：拍信網(wǎng)
