制造商: 恩XP
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: N-Channel
技術: Si
Id-連續(xù)漏極電流: 7.5 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
工作頻率: 136 MHz to 520 MHz
增益: 17.7 dB
輸出功率: 33 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-270-2
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: 恩XP Semiconductors
配置: Single
濕度敏感性: Yes
通道數(shù)量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 294 W
產品類型: RF MOSFET Transistors
系列: AFT05MS031N
500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: LDMOS FET
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.6 V
單位重量: 529.550 mg
