碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) SCTWA60N120G2-4 ST(意法半導(dǎo)體)

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

商標(biāo): STMicroelectronics

通道模式: Enhancement

合規(guī): Done

配置: Single

下降時(shí)間: 14 ns

Id-連續(xù)漏極電流: 60 A

最大工作溫度: + 200 C

最小工作溫度: - 55 C

安裝風(fēng)格: Through Hole

通道數(shù)量: 1 Channel

封裝 / 箱體: HiP-247-4

封裝: Tube

Pd-功率耗散: 388 W

產(chǎn)品類型: SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷: 94 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 52 mOhms

上升時(shí)間: 15 ns

600

子類別: Transistors

技術(shù): SiC

晶體管極性: N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 32 ns

典型接通延遲時(shí)間: 16 ns

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

單位重量: 6.080 g