NVHL1000N170M1碳化硅（SiC）MOSFET

onsemi NVHL1000N170M1碳化硅（SiC）MOSFET是一款1700V M1平面器件，優(yōu)化用于快速開關(guān)應(yīng)用。該平面技術(shù)可在柵極處于負柵極電壓驅(qū)動和關(guān)斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。該N溝道ElteSiC MOSFET由20V柵極驅(qū)動時具有最佳性能，但也可與18V柵極驅(qū)動配合使用。
特性

_柵極-源極電壓為20V時，漏極-源極導(dǎo)通電阻為960mΩ
_超低柵極電荷：14nc
_高速開關(guān)，電容低至11pF
_N 溝道

_100%經(jīng)雪崩測試
_符合AEC?Q101標準并具有PPAP功能
_TO-247-3LD外殼
_無鹵，符合RoHS指令，具有7a豁免、無鉛2LI（二級互連）

應(yīng)用

_反激式轉(zhuǎn)換器
_電動汽車和混合動力電動汽車

規(guī)范

_最大漏極-源極電壓：1700
_最大柵極-源極電壓為-15V/+25V，推薦工作電壓為-5V/+20V
_最大連續(xù)漏極電流范圍：3.0A（+100°C時）至4.2A（+25°C時）
_最大功耗范圍：24W（+100°C時）至48W（+25°C時）

_最大脈沖漏極電流：14A
_最大源極電流（體二極管）：9.5A
_最大單脈沖漏極-源極雪崩能量：24mJ
_工作結(jié)溫范圍：-55 °C至+175 °C
_+270°C最高焊接溫度