零件狀態(tài)在售
FET 類型P 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
200 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 25 V
FET
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
TO-263（D2PAK）
封裝/外殼
TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB
基本產(chǎn)品編號(hào)
IRF9540
