零件狀態(tài)在售
FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）55 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)46A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）5V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
17.3 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 5 V
Vgs（最大值）±15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1992 pF @ 25 VFET 功能
-
功率耗散（最大值）85W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
等級(jí)汽車級(jí)
資質(zhì)AEC-Q101
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼SC-100，SOT-669
基本產(chǎn)品編號(hào)BUK9Y19
