零件狀態(tài)在售
FET 類型
N 通道技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）9.8 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）1.95V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）10.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）690 pF @ 15 VFET 功能-
功率耗散（最大值）45W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝LFPAK33
封裝/外殼SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
基本產(chǎn)品編號(hào)PSMN9R8
