SQJQ184E汽車用N溝道MOSFET

Vishay/Siliconix SQJQ184E汽車用N溝道MOSFET的額定漏極-源極電壓 (VDS) 為80V，在VGS = 10V時(shí)RDS(on)低至0.0014Ω。SQJQ184E符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有-55°C至+175°C的寬工作結(jié)溫范圍，非常適合汽車應(yīng)用。Vishay/Siliconix SQJQ184E汽車N溝道MOSFET采用緊湊型PowerPAK? 8 x 8L封裝，無(wú)鹵、無(wú)鉛，符合RoHS指令。
特性

_TrenchFET? Gen IV功率MOSFET
_符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)

_通過Rg和UIS測(cè)試
_薄型1.9mm高度

規(guī)范

_最大漏極-源極電壓 (VDS)：80V
_最大柵極-源極電壓 (VGS)：±20V
_漏極-源極導(dǎo)通電阻 (RDS(on))
_VGS = 10V、ID = 20A時(shí)，典型值：0.0011Ω，最大值：0.0014Ω
_VGS = 10V、ID = 20A、TJ = 125°C時(shí)，最大值：0.0026Ω
_VGS = 10V、ID = 20A、TJ = 175°C時(shí)，最大值：0.0033Ω
_連續(xù)漏極電流 (ID)：430A（TC = 25°C時(shí)）或250A（TC = 125°C時(shí)）
_脈沖漏極電流 (IDM)：1200A
_最大功率耗散 (PD)：600W（TC = 25°C時(shí)）或200W（TC = 125°C時(shí)）

_工作結(jié)溫 (TJ) 和儲(chǔ)存溫度范圍 (Tstg)：-55°C至+175°C
_總柵極電荷 (Qg)：VGS = 10V、VDS = 40V、ID = 50A時(shí)，典型值：181nC，最大值：272nC
_柵極-源極電荷 (Qgs)：VGS = 10V、VDS = 40V、ID = 50A時(shí)，典型值：51nC
_柵極-漏極電荷 (Qgd)：VGS = 10V、VDS = 40V、ID = 50A時(shí)，典型值：36nC

應(yīng)用

_汽車
_適配器和充電器

_負(fù)載開關(guān)
_DC-DC轉(zhuǎn)換器