PANJIT 30 V 和 40 V 高級增強(qiáng)模式邏輯電平 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON) 同時最大限度地提高雪崩強(qiáng)度和空間利用率，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)溫高達(dá) +175°C。它們采用各種緊湊型封裝，例如 DFN3x3、DFN5x6 和 DFN5060-8L。這些產(chǎn)品非常適用于電源管理功能、反極性保護(hù)、電池電源設(shè)備、LED 照明、信息娛樂、遠(yuǎn)程信息處理、高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、電機(jī)驅(qū)動器、有刷直流電機(jī)、電子轉(zhuǎn)向和直流風(fēng)扇。它們是希望在優(yōu)化性能的同時簡化電路的汽車設(shè)計(jì)工程師的最佳選擇。
特性
通過 AEC-Q101 鑒定，支持 PPAP
低 RDS(ON)，以最小化傳導(dǎo)損耗
100%_未鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試
低熱阻封裝
靜電敏感器件 (ESD) 能力
最高工作結(jié)溫 +175°C
應(yīng)用
電源管理功能
反極性保護(hù)
電池供電型設(shè)備
LED 照明
信息娛樂
遠(yuǎn)程信息處理
ADAS
螺線管和電機(jī)驅(qū)動器
有刷直流電機(jī)
電子轉(zhuǎn)向
直流風(fēng)扇
