零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)
11 V
容差
±5%_功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
22 Ohms
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏
2 μA @ 8.4 V
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)
900 mV @ 10 mA
工作溫度
-55°C ~ 150°C
等級
-
資質
-
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
SOD-123
供應商器件封裝
SOD-123
基本產品編號
MMSZ524
MMSZ5241BT1G二極管 - 齊納 11 V 500 mW ±5% 表面貼裝型 SOD-123
2026-1-22 9:30:00
-
MMSZ5241BT1G二極管 - 齊納
供應商
- 企業(yè)：
北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
- 商鋪：
- 聯(lián)系人：
王偉越
- 手機：
13969210552
- 詢價：
- 電話：
13969210552
- 地址：
德州市德城區(qū)三八東路東匯大廈A座1420室
企業(yè)新聞
更多- 全新 1586019-2 2 矩形連接器 - 外殼 插座 天然
- 全新 1-1534113-1 2 矩形連接器 - 外殼 插座 黑色 0.098"（2.50mm）
- 全新 CC0603KRX7R0BB104 0.1 μF ±10% 100V 陶瓷電容器 X7R 0603（1608 公制）
- 全新 RC0603JR-0710RL 10 Ohms ±5% 0.1W，1/10W 芯片電阻 0603（1608 公制） 防潮 厚膜
- TL072IPJ-FET 放大器 2 電路 8-PDIP
- TDA2822D放大器 IC 1-通道（單聲道）或 2-通道
- 供應PC28F640J3F75A FLASH - NOR 存儲器 IC 64Mbit 并聯(lián) 75 ns 64-EasyBGA（10x13）
- 供應MT47H32M16NF-25E:HSDRAM - DDR2 存儲器 IC 512Mb 并聯(lián) 400 MHz 400 ps 84-FBGA（8x12.5）
