制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 42 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 2.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
系列: SI2
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 8 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 20 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 14 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7 ns
零件號(hào)別名: SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3
單位重量: 8 mg
