制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VSONP-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 76 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 650 mV
Qg-柵極電荷: 7.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 125 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: NexFET
系列: CSD25402Q3A
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Texas Instruments
配置: Single
下降時(shí)間: 12 ns
高度: 0.9 mm
長(zhǎng)度: 3.15 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 7 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
寬度: 3 mm
單位重量: 27.800 mg
